Транзистор UF6N15
UF6N15 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.95 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 38 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 70 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор UF6N15 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HAT2132H |
SMD |
N |
20 |
200 |
30 |
- |
6 |
0.45 |
- |
26 |
65 |
150 |
LFPAK |
| HAT2193WP |
SMD |
N |
20 |
250 |
30 |
- |
7 |
0.4 |
- |
17 |
70 |
150 |
WPAK |
| RCD060N25 |
SMD |
N |
20 |
250 |
30 |
- |
6 |
0.41 |
- |
20 |
50 |
150 |
CPT3 |