Справочник электронных компонентов

Транзистор UTT12P10

UTT12P10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор UTT12P10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AM50P10-117P PTH P 300 100 20 1 42 0.117 84 32 403 150 TO-220AB
AM90P10-60B SMD P 300 100 20 1 55 0.066 82 32 403 175 TO-263
AM90P15-60P PTH P 300 150 20 1 37 0.15 72 32 273 175 TO-220AB
CEB35P10 SMD P 125 100 20 - 32 0.076 74 7 335 175 TO-263
CED30P10 PTH P 150 100 20 - 30 0.076 78 7 345 150 TO-251
CEP35P10 PTH P 125 100 20 - 32 0.076 74 7 335 175 TO-220
CEU30P10 SMD P 150 100 20 - 30 0.076 78 7 345 150 TO-252
MTB050P10E3 PTH P 200 100 20 - 40 0.046 45 16.4 227 175 TO-220
MTB050P10F3 SMD P 200 100 20 - 40 0.046 45 16.4 227 175 TO-263
SFI9540 SMD P 132 100 20 4 17 0.2 - 22 240 175 D2PAK
SUD50P10-43L SMD P 136 100 20 3 37.1 0.043 106 20 230 175 TO-252
SUM50P10-42 SMD P 125 100 20 3 36 0.042 106 20 230 150 TO-263
SUP40P10-43 PTH P 125 100 20 3 36 0.043 106 20 230 150 TO-220AB