Справочник электронных компонентов

Транзистор UTT60N10

UTT60N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор UTT60N10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
IRFB4321GPBF PTH N 330 150 30 5 83 0.015 71 60 390 175 TO-220AB
IRFB4321PBF PTH N 350 150 30 5 85 0.015 71 60 390 175 TO-220AB
IRFP4321PBF PTH N 310 150 30 5 78 0.0155 110 60 390 175 TO-247AC
IRFS4321-7PPBF SMD N 350 150 30 5 86 0.0147 71 60 390 175 TO-263-CA7
IRFS4321PBF SMD N 350 150 30 5 85 0.015 71 60 390 175 TO-263
IRFSL4321PBF PTH N 330 150 30 5 83 0.015 71 60 390 175 TO-262
RU1H100R PTH N 150 100 25 4 75 0.015 - 86 265 175 TO-220
RU3710R PTH N 176 100 25 4 60 0.016 - 25 510 175 TO-220
RU3710S SMD N 176 100 25 4 60 0.016 - 25 510 175 TO-263
STE139N65M5 Модуль N 672 650 25 5 130 0.017 363 56 365 150 ISOTOP
STY139N65M5 PTH N 625 650 25 5 130 0.017 363 56 365 150 Max247
TK100L60W PTH N 797 600 30 3.7 100 0.018 360 130 320 150 TO-3P
TSM85N10CZ PTH N 210 100 25 4 81 0.01 154 65 300 150 TO-220