Транзистор VN0109N9
VN0109N9 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-52
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 90 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор VN0109N9 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| VN0109N2 |
PTH |
N |
6 |
90 |
- |
2.4 |
2 |
3 |
- |
5 |
20 |
- |
TO-39 |
| VN0109N3 |
PTH |
N |
1 |
90 |
- |
2.4 |
2 |
3 |
- |
5 |
20 |
- |
TO-92 |
| VN0109N5 |
PTH |
N |
10 |
90 |
- |
2.4 |
2 |
3 |
- |
5 |
20 |
- |
TO-220 |