Транзистор VNT009A
VNT009A - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 75 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 150 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор VNT009A можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TK7J90E |
PTH |
N |
200 |
900 |
30 |
4 |
7 |
2 |
32 |
20 |
110 |
150 |
TO-3P |
| TMP9N70 |
PTH |
N |
198 |
700 |
30 |
4 |
9 |
1.05 |
30 |
24 |
145 |
150 |
TO-220 |
| VNT008A |
PTH |
N |
125 |
650 |
20 |
4 |
5.77 |
1.5 |
75 |
25 |
150 |
150 |
TO-3 |