Транзистор WFD4N60B
WFD4N60B - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 80 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 49 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 95 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор WFD4N60B можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN04N60T220T |
PTH |
N |
100 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.4 |
8.16 |
26.2 |
57 |
150 |
TO-220 |
| AFN04N60T251T |
PTH |
N |
86 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.4 |
8.16 |
26.2 |
57 |
150 |
TO-251 |
| AFN06N60T251T |
PTH |
N |
125 |
600 |
30 |
4 |
6 |
1.5 |
13.32 |
42.67 |
83.6 |
150 |
TO-251 |
| CS6N70A4D-G |
SMD |
N |
100 |
700 |
30 |
4 |
6 |
1.8 |
15.5 |
21 |
77 |
150 |
TO-252 |
| FQB6N60CTM |
SMD |
N |
125 |
600 |
30 |
4 |
5.5 |
2 |
16 |
45 |
65 |
150 |
D2PAK |
| FQD6N60CTM |
SMD |
N |
80 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2 |
16 |
45 |
65 |
150 |
DPAK |
| FQI6N60CTU |
PTH |
N |
125 |
600 |
30 |
4 |
5.5 |
2 |
16 |
45 |
65 |
150 |
I2PAK |
| TMU4N65Z |
PTH |
N |
98.4 |
650 |
30 |
4 |
4 |
2.4 |
16 |
22 |
67 |
150 |
IPAK |