Транзистор WFN1N60
WFN1N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 8.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 9.1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 23 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор WFN1N60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS1N60B3R |
PTH |
N |
32 |
600 |
30 |
4 |
1.5 |
8 |
5.2 |
5 |
18 |
150 |
TO-251 |
| FQU2N60CTU |
PTH |
N |
44 |
600 |
30 |
4 |
1.9 |
4.7 |
8.5 |
25 |
20 |
150 |
IPAK |
| SSF2N60D1 |
SMD |
N |
48 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.7 |
7 |
25 |
20 |
150 |
TO-252 |
| WFD1N60 |
SMD |
N |
32 |
600 |
30 |
4 |
1.3 |
8.5 |
9.1 |
11 |
23 |
150 |
TO-252 |
| WFD2N60B |
SMD |
N |
46 |
600 |
30 |
4 |
2 |
5 |
9 |
23 |
15 |
150 |
TO-252 |
| WFU1N60 |
PTH |
N |
32 |
600 |
30 |
4 |
1.3 |
8.5 |
9.1 |
11 |
23 |
150 |
TO-251 |
| WFU2N60B |
PTH |
N |
46 |
600 |
30 |
4 |
2 |
5 |
9 |
23 |
15 |
150 |
TO-251 |