Справочник электронных компонентов

Транзистор WVM6N100

WVM6N100 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор WVM6N100 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
APT1001R1BN PTH N 310 1000 30 4 10.5 1.1 90 11 280 150 TO-247
APT1001RBN PTH N 310 1000 30 4 11 1 90 - - 150 TO-247
APT1001RSVFR SMD N 278 1000 30 4 11 1 150 11 280 150 D3PAK
APT1001RSVRG SMD N 280 1000 30 4 11 1 150 11 280 150 D3PAK
APT1002RBNR PTH N 240 1000 20 4 7 2 86 13 235 150 TO-247
APT10040B2VFRG PTH N 625 1000 30 4 25 0.4 415 13 715 150 TMAX
APT10040LVFRG PTH N 625 1000 30 4 25 0.4 415 13 715 150 TO-264
APT10040LVR PTH N 625 1000 30 4 25 0.4 415 13 715 150 TO-264
APT10050B2VFRG PTH N 520 1000 30 4 21 0.5 335 13 595 150 TMAX
APT10050LVFRG PTH N 520 1000 30 4 21 0.5 335 13 595 150 TO-264
APT1201R5BVFRG PTH N 370 1200 30 4 10 1.5 190 10 320 150 TO-247
APT1201R5SVFRG PTH N 370 1200 30 4 10 1.5 190 10 320 150 TO-247
APT1201R6BVFRG PTH N 280 1200 30 4 8 1.6 155 10 255 150 TO-247
APT1201R6SVFRG SMD N 280 1200 30 4 8 1.6 155 10 255 150 D3PAK
APT12045L2VFRG PTH N 833 1200 30 4 28 0.45 605 15 950 150 TO-264
APT12060B2VFRG PTH N 625 1200 30 4 20 0.6 431 12 650 150 TMAX
APT12060LVFRG PTH N 625 1200 30 4 20 0.6 431 12 650 150 TO-264
APT12080B2VFRG PTH N 520 1200 30 4 16 0.8 325 12 530 150 TMAX
APT12080JVR Модуль N 450 1200 30 4 15 0.8 - 12 530 150 ISOTOP
APT12080LVFRG PTH N 520 1200 30 4 16 0.8 325 12 530 150 TO-264
APT14050JVFR Модуль N 694 1400 30 4 23 0.5 - 18 1150 150 ISOTOP
SML100B11F PTH N 280 1000 30 4 11 1 150 11 270 150 TO-247AD
SML100B13F PTH N 370 1000 30 4 13 0.86 185 10 335 150 TO-247AD
SML100H9 PTH N 200 1000 30 4 9 1.1 150 11 280 150 TO-258
SML100J19F Модуль N 450 1000 30 4 19 0.5 335 13 595 150 ISOTOP
SML100L16 PTH N 520 1000 30 4 21 0.5 335 13 595 150 TO-264AA
WVM9.5N100 PTH N 230 1000 20 4 9.5 1.1 - - - 150 TO-3