Транзистор XP161A1355PR-G
XP161A1355PR-G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-89
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.05 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 210 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор XP161A1355PR-G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON2408 |
SMD |
N |
2.8 |
20 |
12 |
1.2 |
8 |
0.0145 |
- |
4.5 |
158 |
150 |
DFN2X2B |
| AP2602GY-HF |
SMD |
N |
2 |
20 |
12 |
1.2 |
6.3 |
0.03 |
- |
14 |
144 |
150 |
SOT-26 |
| AP2N030EY |
SMD |
N |
2 |
20 |
12 |
1.2 |
6.3 |
0.03 |
- |
12 |
65 |
150 |
SOT-26 |
| IRLMS2002PBF |
SMD |
N |
2 |
20 |
12 |
1.2 |
6.5 |
0.03 |
15 |
11 |
150 |
150 |
Micro6 |
| PJS6414 |
SMD |
N |
2 |
20 |
12 |
1.2 |
6.6 |
0.036 |
4.1 |
10 |
54 |
150 |
SOT-23-6L |
| STN4546 |
SMD |
N |
2.5 |
40 |
12 |
1.2 |
6 |
0.048 |
10 |
6 |
80 |
150 |
SOP-8 |