XP263N1001TR-G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
- SMD-код: 63N
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.33 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 3.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор XP263N1001TR-G можно заменить на:
Нет элементов для замены