Транзистор ZDS020N60
ZDS020N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.63 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 145 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZDS020N60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK3113 |
SMD |
N |
20 |
600 |
30 |
- |
2 |
4.4 |
- |
2 |
60 |
150 |
TO-252 |
| KF2N60L |
PTH |
N |
5.4 |
600 |
30 |
- |
0.7 |
3.7 |
- |
20 |
35 |
150 |
TO-92MOD |
| SM6F03NSI |
PTH |
N |
12.5 |
650 |
30 |
4.5 |
2 |
2.4 |
10.2 |
10.8 |
87 |
150 |
TO-126 |
| TMT2N60ZG |
SMD |
N |
2 |
600 |
30 |
4 |
1.4 |
4 |
9.6 |
18 |
41 |
150 |
SOT-223 |