Транзистор ZXM62N03GTA
ZXM62N03GTA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZXM62N03GTA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4460NT |
SMD |
N |
3.1 |
60 |
20 |
1 |
6.4 |
0.05 |
3.8 |
4 |
58 |
150 |
SO-8 |
| AM7366N |
SMD |
N |
3.6 |
60 |
20 |
1 |
6.9 |
0.05 |
3.8 |
5 |
52 |
150 |
DFN3X3-8L |
| ZXMN6A08GTA |
SMD |
N |
2 |
60 |
20 |
1 |
3.8 |
0.08 |
- |
2.1 |
44.2 |
150 |
SOT-223 |