Транзистор ZXM62P03GTA
ZXM62P03GTA - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZXM62P03GTA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7367P |
SMD |
P |
3.5 |
60 |
20 |
1 |
5.4 |
0.082 |
10 |
5 |
84 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM9435P |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
20 |
1 |
6.5 |
0.049 |
7.7 |
5 |
120 |
150 |
SO-8 |
| ZXMP6A16KTC |
SMD |
P |
9.76 |
60 |
20 |
1 |
8.2 |
0.085 |
- |
4.1 |
83 |
150 |
DPAK |
| ZXMP6A17KTC |
SMD |
P |
9.25 |
60 |
20 |
1 |
6.6 |
0.125 |
- |
3.4 |
70 |
150 |
TO-252 |