Транзистор ZXM64N02X
ZXM64N02X - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MSOP8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1100 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZXM64N02X можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM3172JGP |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
8.9 |
0.02 |
10.4 |
9 |
220 |
150 |
SO-8 |
| CSD17507Q5A |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.1 |
13 |
0.0108 |
2.8 |
5.2 |
270 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17527Q5A |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2 |
13 |
0.0108 |
2.8 |
8.2 |
286 |
150 |
SON5X6 |
| IRF7413ZGPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.25 |
13 |
0.01 |
9.5 |
6.3 |
270 |
150 |
SO-8 |
| IRF7413ZPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.25 |
13 |
0.01 |
9.5 |
6.3 |
270 |
150 |
SO-8 |
| IRF7821GPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
1 |
13.6 |
0.0091 |
9.3 |
2.7 |
360 |
155 |
SO-8 |
| IRF7821PBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
1 |
13.6 |
0.0091 |
9.3 |
2.7 |
360 |
155 |
SO-8 |
| IRF7821PBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
1 |
13.6 |
0.0091 |
9.3 |
2.7 |
360 |
155 |
SO-8 |
| IRF7828PBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
1 |
13.6 |
0.0125 |
9.2 |
2.7 |
360 |
150 |
SO-8 |
| IRFH7921PBF |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.35 |
15 |
0.0085 |
9.3 |
7.6 |
240 |
150 |
PQFN |
| SSF3612E |
SMD |
N |
3.1 |
25 |
12 |
2.5 |
11 |
0.012 |
10.3 |
4.42 |
291 |
150 |
SOP-8 |