Транзистор ZXM66P02N8TC
ZXM66P02N8TC - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.56 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.7 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 44.3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1038 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZXM66P02N8TC можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| ZXM66P02N8TA |
SMD |
P |
1.56 |
20 |
12 |
0.7 |
6.4 |
0.025 |
- |
44.3 |
1038 |
150 |
SO-8 |