Транзистор ZXM66P03N8TA
ZXM66P03N8TA - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.56 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16.3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 743 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZXM66P03N8TA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3431P |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
1 |
7.5 |
0.024 |
19 |
5 |
163 |
150 |
TSOP-6 |
| AM4825P |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
1 |
11.5 |
0.013 |
25 |
13 |
600 |
150 |
SOIC-8 |
| AM4825PE |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
1 |
11.5 |
0.013 |
25 |
13 |
600 |
150 |
SOIC-8 |
| AM4835P |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
1 |
9.5 |
0.019 |
31 |
16 |
408 |
150 |
SO-8 |
| AM7331PE |
SMD |
P |
3.5 |
30 |
25 |
1 |
13.4 |
0.0144 |
25 |
8 |
269 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7365P |
SMD |
P |
3.5 |
60 |
20 |
1 |
10 |
0.024 |
30 |
12 |
232 |
150 |
DFN3X3-8L |