Транзистор ZXMN10A08E6TC
ZXMN10A08E6TC - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-26
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.25 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 2.2 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 28.2 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZXMN10A08E6TC можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDMA86251 |
SMD |
N |
2.4 |
150 |
20 |
4 |
2.4 |
0.175 |
- |
1.7 |
24 |
150 |
MicroFET2X2 |
| ZXMN10A08E6TA |
SMD |
N |
1.1 |
100 |
20 |
4 |
1.5 |
0.25 |
- |
2.2 |
28.2 |
150 |
SOT-26 |