Транзистор ZXMN10A09K
ZXMN10A09K - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 10.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 26 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1313 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор ZXMN10A09K можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SQJ488EP |
SMD |
N |
83 |
100 |
20 |
2.5 |
42 |
0.021 |
18 |
11 |
372 |
175 |
PowerPAKSO-8L |
| STD30N10F7 |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
4.5 |
32 |
0.024 |
19 |
17.5 |
290 |
175 |
DPAK |
| TK11S10N1L |
SMD |
N |
65 |
100 |
20 |
2.5 |
11 |
0.028 |
15 |
13 |
370 |
175 |
DPAK |