Транзистор ZXMN10A11GTA
ZXMN10A11GTA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.35 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 1.7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 21 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZXMN10A11GTA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| ZXMN10A11GTC |
SMD |
N |
2 |
100 |
20 |
4 |
1.7 |
0.35 |
- |
1.7 |
21 |
150 |
SOT-223 |