Транзистор ZXMN10A25G
ZXMN10A25G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 859 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор ZXMN10A25G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2N7081 |
PTH |
N |
18 |
100 |
20 |
- |
12 |
0.15 |
17 |
- |
600 |
150 |
TO-257 |
| STL30N10F7 |
SMD |
N |
4.8 |
100 |
20 |
4.5 |
8 |
0.035 |
14 |
14 |
215 |
175 |
PowerFLAT5X6 |
| STL7N10F7 |
SMD |
N |
2.9 |
100 |
20 |
4.5 |
7 |
0.035 |
14 |
14 |
215 |
150 |
PowerFLAT3.3X3.3 |
| ZXMN10A25K |
SMD |
N |
4.25 |
100 |
20 |
4 |
6.4 |
0.15 |
17 |
- |
859 |
150 |
TO-252 |