Транзистор ZXMN3B04N8
ZXMN3B04N8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 23.1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2480 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор ZXMN3B04N8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17510Q5A |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.1 |
20 |
0.0052 |
6.4 |
11 |
630 |
150 |
SON5X6 |
| NVMFS5C670NL |
SMD |
N |
3.6 |
60 |
20 |
2 |
17 |
0.0061 |
9 |
60 |
690 |
175 |
DFN5X6 |
| NVTFS4C08N |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.2 |
17 |
0.0059 |
8.4 |
33 |
702 |
175 |
WDFN8 |
| NVTFS4C10N |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.2 |
15.3 |
0.0074 |
10.1 |
30 |
574 |
175 |
WDFN8 |
| SIE800DF |
SMD |
N |
5.2 |
30 |
20 |
3 |
20.6 |
0.0072 |
23 |
15 |
750 |
150 |
PolarPAK |
| STL60NH3LL |
SMD |
N |
4 |
30 |
16 |
1 |
16 |
0.0085 |
18 |
65 |
565 |
150 |
PowerFLAT6X5 |
| STL75NH3LL |
SMD |
N |
4 |
30 |
16 |
1 |
20 |
0.0057 |
18 |
65 |
565 |
150 |
PowerFLAT6X5 |
| STSJ60NH3LL |
SMD |
N |
3 |
30 |
16 |
1 |
15 |
0.0057 |
18 |
65 |
565 |
150 |
SO-8 |