Транзистор ZXMN4A06KTC
ZXMN4A06KTC - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 9.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.05 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 133 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZXMN4A06KTC можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN050-80BS |
SMD |
N |
56 |
80 |
20 |
1 |
22 |
0.046 |
9 |
1 |
100 |
175 |
D2PAK |