Транзистор ZXMP10A18G
ZXMP10A18G - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 26.9 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1055 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор ZXMP10A18G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| ZXMP10A18K |
SMD |
P |
10.2 |
100 |
20 |
4 |
5.9 |
0.15 |
26.9 |
- |
1055 |
150 |
TO-252 |