Транзистор ZXMP6A17N8TC
ZXMP6A17N8TC - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.56 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.125 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 70 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZXMP6A17N8TC можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| ZXMP6A17GQ |
SMD |
P |
2 |
60 |
20 |
1 |
3 |
0.125 |
- |
3.4 |
70 |
150 |
SOT-223 |
| ZXMP6A17GTA |
SMD |
P |
2 |
60 |
20 |
1 |
3 |
0.125 |
- |
3.4 |
70 |
150 |
SOT-223 |
| ZXMP6A17KTC |
SMD |
P |
9.25 |
60 |
20 |
1 |
6.6 |
0.125 |
- |
3.4 |
70 |
150 |
TO-252 |