Кремниевые стандартные выпрямительные диоды
Выпрямительный диод (Rectifier) имеет один полупроводниковый p-n-переход и предназначен для преобразования переменного тока в постоянный, а точнее - в ток одной полярности. В настоящее время в качестве материала для выпрямительных диодов используется преимущественно кремний, как имеющий лучшие параметры при невысокой цене. Напряжение открытия p-n-перехода, или порог проводимости у кремниевых диодов составляет около 0,7 вольт. При меньшем напряжении такой диод не будет проводить ток в обоих направлениях.
Исходя из назначения выпрямительных диодов, понятно, что основная сфера их применение, это - блоки питания. Поэтому они могут выдержать относительно высокий ток, - как правило, более ампера, при высоких напряжениях. К скоростным же параметрам стандартных выпрямительных диодов высоких требований не предъявляется. Работают они обычно с током промышленной сети 50-60 Гц, а максимально возможная их частота не превышает нескольких килогерц. При более высоких частотах необходимо применять быстрые диоды, или диоды с барьером Шоттки.
Основные характеристики выпрямительных диодов
- Максимальное обратное напряжение, Vr
- Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage. Максимальное напряжение в вольтах, которое может сдерживать диод в обратном направлении без пробоя перехода.
- Максимальный средний прямой ток, Ifa
- Maximum Average Forward Current или Average Rectified Output Current. Максимальный долговременный постоянный выпрямленный ток в амперах, протекающий через открытый диод, при котором не наступит его тепловой пробой.
- Пиковый прямой ток, Ifsm
- Peak Forward Surge Current. Максимальный кратковременный не повторяющийся переменный ток в амперах длительностью, как правило, 8,3 мкс.
- Прямое падение напряжения, Vf
- Forward Voltage. Напряжение в вольтах, падающее на открытом диоде из-за сопротивления перехода, при прохождении через него максимального прямого тока Ifa.
- Обратный ток утечки, Ir
- Leakage Current или Maximum Reverse Current. Ток в микроамперах, протекающий через диод в обратном направлении, от приложенного к нему максимального обратного напряжения Vr.
- Емкость перехода, Cj
- Junction Capacitance. Емкость p-n-перехода диода в пикофарадах. При увеличении частоты сигнала реактивное сопротивление этой емкости падает и, таким образом, шунтирует переход, нарушая работу диода. Поэтому, чем выше частота, тем меньше должна быть емкость перехода.