GBJL2010 - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: GBJL
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 20 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 240 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.05 В
- Обратный ток утечки, Ir: 10 мкА
- Емкость перехода, Cj: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку GBJL2010:
Сборку диодную GBJL2010 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| GBJ2012 |
PTH |
1200 |
20 |
240 |
1.05 |
10 |
60 |
150 |
GBJ |
| GBJ2016 |
PTH |
1600 |
20 |
240 |
1.05 |
10 |
60 |
150 |
GBJ |
| GBJ20M |
PTH |
1000 |
20 |
240 |
1.05 |
10 |
60 |
150 |
GBJ6 |
| KBJ20M |
PTH |
1000 |
20 |
240 |
1.05 |
10 |
60 |
150 |
KBJ6 |
| KBJ3510 |
PTH |
1000 |
35 |
350 |
1.05 |
2 |
60 |
150 |
KBJ4 |
| KBJ35M |
PTH |
1000 |
35 |
350 |
1.05 |
2 |
60 |
150 |
KBJ4 |
| RS3510M |
PTH |
1000 |
35 |
350 |
1.05 |
2 |
55 |
150 |
RS-35M |