EBRP8L45B - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMB
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 45 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 125 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.53 В
- Обратный ток утечки, Ir: 500 мкА
- Емкость перехода, Cj: 8 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRP8L45B:
Диод EBRP8L45B можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| EBRT8E45B |
SMD |
45 |
8 |
200 |
0.43 |
500 |
8 |
150 |
SMB |
| EBRT8E60B |
SMD |
50 |
8 |
150 |
0.53 |
500 |
8 |
150 |
SMB |