EBRT3E60AF - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMAF
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 60 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 3 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 30 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.51 В
- Обратный ток утечки, Ir: 500 мкА
- Емкость перехода, Cj: 3 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRT3E60AF:
Диод EBRT3E60AF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| EBRP3E60AF |
SMD |
60 |
3 |
80 |
0.5 |
500 |
3 |
150 |
SMAF |
| EBRT3E60A |
SMD |
60 |
3 |
30 |
0.51 |
500 |
3 |
150 |
SMA |
| EBRT3E60M |
PTH |
60 |
3 |
30 |
0.51 |
500 |
3 |
150 |
DO-15 |
| EBRT3E60P |
SMD |
60 |
3 |
30 |
0.51 |
500 |
3 |
150 |
SOD-123F |
| EBRT3E60S |
PTH |
60 |
3 |
30 |
0.51 |
500 |
3 |
150 |
DO-41 |
| EBRT3X60D |
PTH |
60 |
3 |
50 |
0.47 |
200 |
3 |
150 |
DO-27 |