MBR850D - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 50 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 150 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.75 В
- Обратный ток утечки, Ir: 50 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод MBR850D:
Диод MBR850D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MBR850F |
PTH |
50 |
8 |
150 |
0.75 |
50 |
- |
175 |
ITO-220AC |
| MBR860D |
SMD |
60 |
8 |
150 |
0.75 |
50 |
- |
175 |
TO-263 |
| MBR860F |
PTH |
60 |
8 |
150 |
0.75 |
50 |
- |
175 |
ITO-220AC |
| STPST10H100SB-TR |
SMD |
100 |
10 |
210 |
0.715 |
26 |
- |
175 |
TO-252 |
| STPST10H100SF |
SMD |
100 |
10 |
235 |
0.7 |
26 |
- |
175 |
TO-277A |
| STPST12H100SF |
SMD |
100 |
12 |
230 |
0.71 |
24 |
- |
175 |
TO-277A |
| STPST15H100SB-TR |
SMD |
100 |
15 |
230 |
0.74 |
28 |
- |
175 |
TO-252 |
| STPST8H100SF |
SMD |
100 |
8 |
200 |
0.695 |
17 |
- |
175 |
TO-277A |