MBRA1H100T3G - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMA
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 1 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 50 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.76 В
- Обратный ток утечки, Ir: 40 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод MBRA1H100T3G:
Диод MBRA1H100T3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ | ТИП | Vr, В | Ifa, А | Ifsm, А | Vf, В | Ir, мкА | Cj, пФ | Tj, гр.Ц | КОРПУС |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBR1H100SFT3G | SMD | 100 | 1 | 50 | 0.76 | 40 | - | 175 | SOD-123FL |
| MBRM1H100T3G | SMD | 100 | 1 | 50 | 0.76 | 20 | - | 175 | POWERMITE-2 |
| NRVB1H100SFT3G | SMD | 100 | 1 | 50 | 0.76 | 40 | - | 175 | SOD-123 |
| NRVBA1H100T3G | SMD | 100 | 1 | 50 | 0.76 | 40 | - | 175 | SMA |
| PDS4150 | SMD | 150 | 4 | 180 | 0.76 | 10 | - | 175 | PowerDI5 |
| PDS4150Q | SMD | 150 | 4 | 180 | 0.76 | 10 | - | 175 | PowerDI5 |
| SSA1H100H | SMD | 100 | 1 | 70 | 0.73 | 10 | 66 | 175 | SMA |
| SSB1H100H | SMD | 100 | 1 | 70 | 0.73 | 10 | 66 | 175 | SMB |
| STPST10H100SB-TR | SMD | 100 | 10 | 210 | 0.715 | 26 | - | 175 | TO-252 |
| STPST10H100SF | SMD | 100 | 10 | 235 | 0.7 | 26 | - | 175 | TO-277A |
| STPST5H100AF | SMD | 100 | 5 | 75 | 0.68 | 11.5 | - | 175 | SOD-123FL |
| STPST5H100SB-TR | SMD | 100 | 5 | 150 | 0.685 | 11.5 | - | 175 | TO-252 |
| STPST5H100SF | SMD | 100 | 5 | 155 | 0.68 | 11.5 | - | 175 | TO-277A |
| STPST5H100UF | SMD | 100 | 5 | 130 | 0.68 | 11.5 | - | 175 | SMB-FL |
| STPST8H100SF | SMD | 100 | 8 | 200 | 0.695 | 17 | - | 175 | TO-277A |