Транзистор 2SB1120E
2SB1120E - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-89
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 20 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 10 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 2.5 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 250 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 70 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор 2SB1120E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SB1120F |
SMD |
PNP |
1 |
20 |
10 |
7 |
2.5 |
250 |
160 |
70 |
175 |
SOT-89 |
| 2SB1120G |
SMD |
PNP |
1 |
20 |
10 |
7 |
2.5 |
250 |
280 |
70 |
175 |
SOT-89 |