Справочник электронных компонентов

Транзистор 3N1151GP

3N1151GP - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-126

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1.25 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 3N1151GP можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SA1385-Z	SMD	PNP	10	60	60	7	5	140	100	-	150	TO-252
2SA1843	PTH	PNP	1.8	100	60	7	5	80	100	130	150	MP10
2SA1845	PTH	PNP	1.8	150	100	7	5	150	100	130	150	MP10
2SA1847	PTH	PNP	1.8	150	100	7	10	150	100	250	150	MP10
DXT2012P5	SMD	PNP	3.2	100	60	7	5.5	120	100	48	150	PowerDI5
FTB1151	PTH	PNP	1.25	60	60	7	5	-	100	-	150	TO-126
ZX5T1951G	SMD	PNP	3	90	60	7	6	120	100	-	150	SOT-223
ZXTP2013	SMD	PNP	3	140	100	7	5	125	100	42	150	SOT-223