Справочник электронных компонентов

Транзистор BDS29BSM

BDS29BSM - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 150 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: -
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 90 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 30 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 4 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 1000
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор BDS29BSM можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BDS29BM3A	PTH	NPN	150	90	90	5	30	4	1000	-	200	TO-254AA
BDS29BN2	SMD	NPN	150	90	90	5	30	4	1000	-	200	TO-276AB
BDS29CM3A	PTH	NPN	150	120	120	5	30	4	1000	-	200	TO-254AA
BDS29CN2	SMD	NPN	150	120	120	5	30	4	1000	-	200	TO-276AB
BDS29CSM	SMD	NPN	150	-	120	-	30	4	1000	-	200	TO-252