Справочник электронных компонентов

Транзистор BDT65B

BDT65B - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 125 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 12 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 10 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 2000
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BDT65B можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SD1460	PTH	NPN	200	100	100	5	30	10	3000	500	150	TO-3
2SD1525	PTH	NPN	150	100	100	5	30	10	2000	500	150	TO-220
2SD2401	PTH	NPN	150	160	150	5	12	55	5000	-	150	MT200
2SD2401O	PTH	NPN	150	160	150	5	12	55	5000	95	150	MT200
2SD2401P	PTH	NPN	150	160	150	5	12	55	6500	95	150	MT200
2SD2560	PTH	NPN	130	150	150	5	15	70	5000	-	150	TO-3P
2SD2560O	PTH	NPN	130	150	150	5	15	70	5000	120	150	TO-3P
2SD2560P	PTH	NPN	130	150	150	5	15	70	6500	120	150	TO-3P
2SD2561	PTH	NPN	200	150	150	5	17	70	5000	-	150	MT200
2SD2561O	PTH	NPN	200	150	150	5	17	70	5000	120	150	MT200
2SD2561P	PTH	NPN	200	150	150	5	17	70	6500	120	150	MT200
BDT65C	PTH	NPN	125	120	120	-	12	10	2000	-	150	TO-220