Справочник электронных компонентов

Транзистор BDV65

BDV65 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-218

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 125 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 12 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 2000
Емкость коллекторного перехода, Cc: 300 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BDV65 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SD2401O	PTH	NPN	150	160	150	5	12	55	5000	95	150	MT200
2SD2401P	PTH	NPN	150	160	150	5	12	55	6500	95	150	MT200
2SD2560O	PTH	NPN	130	150	150	5	15	70	5000	120	150	TO-3P
2SD2560P	PTH	NPN	130	150	150	5	15	70	6500	120	150	TO-3P
2SD2561O	PTH	NPN	200	150	150	5	17	70	5000	120	150	MT200
2SD2561P	PTH	NPN	200	150	150	5	17	70	6500	120	150	MT200
BDV65A	PTH	NPN	125	80	80	5	12	-	2000	300	150	TO-218
BDV65B	PTH	NPN	125	100	100	5	12	-	2000	300	150	TO-218