Транзистор BTB1184J3
BTB1184J3 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 15 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 50 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 80 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 180
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 35 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор BTB1184J3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SA2039 |
PTH |
PNP |
15 |
80 |
50 |
6 |
5 |
360 |
200 |
24 |
150 |
TP |
| BTB1184J3S |
SMD |
PNP |
15 |
60 |
50 |
6 |
3 |
80 |
270 |
35 |
150 |
TO-252 |