Транзистор CMPT5551E
CMPT5551E - транзистор биполярный кремниевый структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.35 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 250 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 220 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.6 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 120
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 6 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CMPT5551E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CXT5551E |
SMD |
NPN |
1.2 |
250 |
220 |
6 |
0.6 |
100 |
120 |
6 |
150 |
SOT-89 |
| CZT5551E |
SMD |
NPN |
2 |
250 |
220 |
7 |
0.6 |
100 |
120 |
6 |
150 |
SOT-223 |