Справочник электронных компонентов

Транзистор GES1613

GES1613 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Основные характеристики:

Транзистор GES1613 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pc, Вт Vcb, В Vce, В Veb, В Ic, А Ft, МГц Hfe Cc, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
2N1613 PTH NPN 0.8 75 50 7 0.6 80 40 25 175 TO-5
2N2102A PTH NPN 1 120 65 7 1 120 40 8 200 TO-5
2N2896X PTH NPN 1.8 140 90 7 1 90 60 15 200 TO-18
2N3019 PTH NPN 0.8 140 80 7 1 100 100 12 190 TO-5
2N3020 PTH NPN 0.8 140 80 7 1 80 40 12 180 TO-5
2N3020S PTH NPN 0.8 140 80 7 1 80 40 12 180 TO-5
2N4943 PTH NPN 0.8 120 80 7 0.8 150 100 12 200 TO-5
BSY85 PTH NPN 0.9 120 64 7 1 110 40 15 200 TO-39
BSY86 PTH NPN 0.9 120 64 7 1 130 100 15 200 TO-39
GES1613A SMD NPN 1 75 50 7 0.6 80 40 25 175 TO-236
GES1613R SMD NPN 1 120 50 7 0.6 80 40 25 175 TO-236
MMBT1613 SMD NPN 0.8 75 50 7 0.6 80 40 25 175 TO-236
MMBT1613A SMD NPN 1 75 50 7 0.6 80 40 25 175 TO-236
MMBT1613R SMD NPN 1 120 50 7 0.6 80 40 25 175 TO-236
MP1613 SMD NPN 0.8 75 50 7 0.6 80 40 25 175 TO-236
MP1613A SMD NPN 1 75 50 7 0.6 80 40 25 175 TO-236
MP1613R SMD NPN 1 120 50 7 0.6 80 40 25 175 TO-236
NTE128 PTH NPN 0.8 140 80 7 1 100 100 12 200 TO-39