Транзистор LBC856BDW1T1G
LBC856BDW1T1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-88
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.25 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 65 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.1 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 220
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 4.5 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор LBC856BDW1T1G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SA970BL |
PTH |
PNP |
0.3 |
120 |
120 |
5 |
0.1 |
100 |
350 |
4 |
150 |
TO-92 |
| BC856C |
SMD |
PNP |
0.25 |
80 |
65 |
5 |
0.1 |
100 |
420 |
4.5 |
150 |
SOT-23 |
| CHT856BGP-R |
SMD |
PNP |
0.3 |
80 |
65 |
5 |
0.1 |
200 |
220 |
3 |
150 |
SOT-23 |
| CHT856BGP-S |
SMD |
PNP |
0.3 |
80 |
65 |
5 |
0.1 |
200 |
420 |
3 |
150 |
SOT-23 |
| CHT856BPT-R |
SMD |
PNP |
0.3 |
80 |
65 |
5 |
0.1 |
200 |
220 |
3 |
150 |
SOT-23 |
| CHT856BPT-S |
SMD |
PNP |
0.3 |
80 |
65 |
5 |
0.1 |
200 |
420 |
3 |
150 |
SOT-23 |
| CSA970BL |
PTH |
PNP |
0.3 |
120 |
120 |
5 |
0.1 |
100 |
350 |
4 |
150 |
TO-92 |
| JC556B |
PTH |
PNP |
0.5 |
80 |
65 |
5 |
0.1 |
200 |
220 |
4 |
150 |
TO-92 |