Транзистор MSD602-RT1G
MSD602-RT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-346
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.2 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 50 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.5 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 180 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 120
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 15 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MSD602-RT1G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BTC2655K3 |
PTH |
NPN |
0.9 |
120 |
60 |
7 |
2 |
250 |
200 |
13 |
150 |
TO-92L |
| BTC2655S3 |
SMD |
NPN |
0.225 |
100 |
50 |
7 |
2 |
250 |
200 |
13 |
150 |
SOT-323 |
| BTD1768S3 |
SMD |
NPN |
0.2 |
180 |
80 |
7 |
1 |
250 |
180 |
6 |
150 |
SOT-323 |
| INC5006AC1 |
SMD |
NPN |
0.2 |
100 |
50 |
7 |
3 |
250 |
400 |
13 |
150 |
SOT-23 |