Справочник электронных компонентов

Транзистор SGSD100

SGSD100 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TOP-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 130 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 25 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 300
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SGSD100 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BDS29BM3A	PTH	NPN	150	90	90	5	30	4	1000	-	200	TO-254AA
BDS29BN2	SMD	NPN	150	90	90	5	30	4	1000	-	200	TO-276AB
BDS29CM3A	PTH	NPN	150	120	120	5	30	4	1000	-	200	TO-254AA
BDS29CN2	SMD	NPN	150	120	120	5	30	4	1000	-	200	TO-276AB
ESM2012DV	Модуль	NPN	175	150	125	7	120	-	1200	-	175	ISOTOP
MJ11032G	PTH	NPN	300	120	120	5	50	-	1000	-	200	TO-3
PMD18D100	PTH	NPN	300	100	100	5	50	-	300	1200	200	TO-3
PMD18D80	PTH	NPN	300	80	80	5	50	-	1000	1200	200	TO-3
SFT6284	PTH	NPN	350	350	250	5	50	2	500	650	200	TO-258,TO-259