Транзистор CMPFJ175
CMPFJ175 - Транзистор полевой JFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.225 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 30 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 60 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 6 В
- Ток утечки затвора, Igss: 1 нА
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 125 Ом
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CMPFJ175 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vbgs, В |
Idss, мА |
Vgs(off), В |
Igss, нА |
Rds, Ом |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2N5115 |
PTH |
P |
0.5 |
30 |
60 |
6 |
0.5 |
100 |
25 |
200 |
TO-18 |
| MMBFJ175 |
SMD |
P |
0.225 |
30 |
60 |
6 |
1 |
125 |
- |
150 |
SOT-23 |
| MMBFJ175LT1 |
SMD |
P |
0.225 |
30 |
60 |
6 |
1 |
125 |
11 |
150 |
SOT-23 |
| PMBFJ175 |
SMD |
P |
0.3 |
30 |
70 |
6 |
1 |
125 |
30 |
150 |
SOT-23 |
| SST5115 |
SMD |
P |
0.35 |
30 |
60 |
6 |
0.5 |
100 |
- |
150 |
SOT-23 |