Транзистор K1109G-J36-AE3
K1109G-J36-AE3 - Транзистор полевой JFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: 0.08 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vbgs: 20 В
- Начальный ток стока (ток насыщения), Idss: 0.45 мА
- Напряжение отсечки, Vgs(off): 1 В
- Ток утечки затвора, Igss: -
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 8 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 125 гр.Ц
Транзистор K1109G-J36-AE3 можно заменить на: