Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SJ687

2SJ687 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 36 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.007 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 220 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1070 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SJ687 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SJ687-ZK	SMD	P	36	20	12	-	20	0.007	-	220	1070	150	TO-252
AP3P6R0S	SMD	P	69.4	30	20	3	80	0.006	-	80	1050	150	TO-263
AP3P7R0EH	SMD	P	59.5	30	20	3	75	0.007	-	140	590	150	TO-252
AP3P7R0EJB	PTH	P	59.5	30	20	3	75	0.007	-	140	590	150	TO-251S
AP3P7R0EP	PTH	P	59.5	30	20	3	75	0.007	-	140	590	150	TO-220
AP3P7R0ES	SMD	P	59.5	30	20	3	75	0.007	-	140	590	150	TO-263
MTB09P04DJ3	SMD	P	94	40	20	2	50	0.007	-	22	501	175	TO-252
PZ0703EK	SMD	P	50	30	20	-	70	0.007	-	25	960	150	PDFN5X6P
SM3403PSQG	SMD	P	62.5	20	12	-	95	0.0036	-	25	1030	150	DFN3.3X3.3-8
SQP90P06-07L	PTH	P	300	60	20	2.5	120	0.0067	-	23	1034	175	TO-220AB