Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SJ76

2SJ76 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 140 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 50 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор 2SJ76 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SJ77	PTH	P	30	160	15	-	0.5	50	-	-	-	150	TO-220AB
2SJ78	PTH	P	30	180	15	-	0.5	50	-	-	-	150	TO-220AB
2SJ79	PTH	P	30	200	15	-	0.5	50	-	-	-	150	TO-220AB
FQB1P50	SMD	P	63	500	30	-	1.5	10.5	11	-	-	150	TO-263
FQB1P50TM	SMD	P	63	500	30	5	1.5	10.5	11	25	40	150	D2PAK
FQD1P50TF	SMD	P	38	500	30	5	1.2	10.5	11	25	40	150	DPAK
FQD1P50TM	SMD	P	38	500	30	5	1.2	10.5	11	25	40	150	DPAK
FQI1P50TU	PTH	P	63	500	30	5	1.5	10.5	11	25	40	150	I2PAK
FQP1P50	PTH	P	63	500	30	5	1.5	10.5	11	25	40	150	TO-220
KQD1P50	SMD	P	38	500	30	5	1.2	10.5	11	25	40	150	TO-252