Транзистор 30P55
30P55 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 240 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 30P55 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 28P55 |
SMD |
P |
90 |
55 |
20 |
- |
30 |
0.04 |
- |
15 |
240 |
150 |
TO-252 |
| AM90P06-20P |
PTH |
P |
300 |
60 |
20 |
1 |
90 |
0.02 |
22 |
9 |
216 |
175 |
TO-220AB |
| MTB25P06FP |
PTH |
P |
100 |
60 |
20 |
- |
52 |
0.0188 |
62 |
18 |
164 |
175 |
TO-220FP |
| MTP5210F3 |
SMD |
P |
100 |
100 |
20 |
- |
34 |
0.037 |
148 |
13 |
234 |
150 |
TO-263 |