Справочник электронных компонентов

Транзистор 3SK20HY

3SK20HY - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-72

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.1 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.01 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 200 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 5 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор 3SK20HY можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
3N200	PTH	N	0.33	20	6	-	0.05	100	-	-	2	175	TO-72
3SK20HW	PTH	N	0.1	20	-	-	0.01	200	-	-	5	175	TO-72
3SK21H	PTH	N	0.1	20	-	-	0.01	200	-	-	5	175	TO-72
3SK32	PTH	N	0.17	20	10	-	0.015	200	-	-	5	175	TO-72
3SK39	PTH	N	0.25	20	7	-	0.024	200	-	-	4.5	175	TO-72
3SK40	PTH	N	0.25	20	7	-	0.025	200	-	-	5	175	TO-72
3SK41	PTH	N	0.25	20	7	-	0.025	200	-	-	5	175	TO-72
3SK45	PTH	N	0.33	20	7	-	0.035	200	-	-	4	175	TO-72
3SK55	PTH	N	0.3	20	9	-	0.03	200	-	-	5	175	TO-72