Справочник электронных компонентов

Транзистор 4N60P

4N60P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор 4N60P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB7S60 SMD N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-263
AOB7S60L SMD N 104 600 30 3.9 7 0.54 - 13 28 150 TO-263
AOB7S65 SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOB7S65L SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOT7S60 PTH N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-220
AOT7S60L PTH N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-220
AOT7S65 PTH N 104 650 30 - 7 0.65 - 14 30 150 TO-220
AOT7S65L PTH N 104 650 30 3.3 7 0.65 - 14 30 150 TO-220
AOW7S60 PTH N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-262
AOW7S65 PTH N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-262
G4N65 SMD и PTH N 100 650 30 - 4.5 2.3 - 15.33 65.2 150 TO-251,TO-252
SSF5N60G PTH N 126 600 30 - 5 2.15 - 6.8 66.65 150 IPAK
STB10N95K5 SMD N 130 950 30 5 8 0.8 22 14 50 150 D2PAK
STD7N80K5 SMD N 110 800 30 5 6 1.2 13.4 8.3 30 150 DPAK
STD8N80K5 SMD N 110 800 30 5 6 0.95 16.5 14 50 150 DPAK
STP10N105K5 PTH N 130 1050 30 5 6 1.3 21.5 8 30 150 TO-220
STP10N95K5 PTH N 130 950 30 5 8 0.8 22 14 50 150 TO-220
STP7N105K5 PTH N 110 1050 30 5 4 2 17 7 40 150 TO-220
STP7N80K5 PTH N 110 800 30 5 6 1.2 13.4 8.3 30 150 TO-220
STP8N80K5 PTH N 110 800 30 5 6 0.95 16.5 14 50 150 TO-220
STU6N65K3 PTH N 110 650 30 4.5 5.4 1.3 33 10 65 150 IPAK
STU7N105K5 PTH N 110 1050 30 5 4 2 17 7 40 150 IPAK
STU7N80K5 PTH N 110 800 30 5 6 1.2 13.4 8.3 30 150 IPAK
STU8N80K5 PTH N 110 800 30 5 6 0.95 16.5 14 50 150 IPAK
STW10N105K5 PTH N 130 1050 30 5 6 1.3 21.5 8 30 150 TO-247
STW10N95K5 PTH N 130 950 30 5 8 0.8 22 14 50 150 TO-247
STW7N105K5 PTH N 110 1050 30 5 4 2 17 7 40 150 TO-247