Транзистор 5HN01M
5HN01M - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MCP
- SMD-код: YC
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 1.4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 105 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 6.2 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 5HN01M можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 5HN01C |
SMD |
N |
0.25 |
50 |
20 |
2.4 |
0.1 |
10.5 |
1.4 |
105 |
6.2 |
150 |
CP |
| 5HN01S |
SMD |
N |
0.15 |
50 |
20 |
2.4 |
0.1 |
10.5 |
1.4 |
105 |
6.2 |
150 |
SMCP |
| 5HN01SS |
SMD |
N |
0.15 |
50 |
20 |
2.4 |
0.1 |
10.5 |
1.4 |
105 |
6.2 |
150 |
SSFP |