Транзистор 5LN02M
5LN02M - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MCP
- SMD-код: YE
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 2.18 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 350 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 5LN02M можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 5LN02C |
SMD |
N |
0.25 |
50 |
10 |
1.3 |
0.2 |
6.4 |
2.18 |
350 |
25 |
150 |
CP |